HMS38N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS38N60T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 322 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS38N60T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS38N60T даташит

 ..1. Size:595K  cn hmsemi
 hms38n60t.pdf pdf_icon

HMS38N60T

HMS38N60T N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 600 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 89 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 38 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applic

Другие IGBT... HMS28N65T, HMS29N65, HMS29N65D, HMS29N65F, HMS3205, HMS3205D, HMS35DN10DA, HMS35N10K, IRFZ48N, HMS4030, HMS4030D, HMS40N10D, HMS4110T, HMS4260, HMS4264, HMS4290, HMS4294