Справочник MOSFET. HMS38N60T

 

HMS38N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS38N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 322 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HMS38N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS38N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  cn hmsemi
 hms38n60t.pdf pdf_icon

HMS38N60T

HMS38N60TN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 600 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 89 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 38 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applic

Другие MOSFET... HMS28N65T , HMS29N65 , HMS29N65D , HMS29N65F , HMS3205 , HMS3205D , HMS35DN10DA , HMS35N10K , RU7088R , HMS4030 , HMS4030D , HMS40N10D , HMS4110T , HMS4260 , HMS4264 , HMS4290 , HMS4294 .

History: FQD6N40TM

 

 
Back to Top

 


 
.