HMS47N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS47N60A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
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HMS47N60A Datasheet (PDF)
hms47n60a.pdf
HMS47N60AN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction 600 V VDS@Tjmaxtechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 70 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID AAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Fea
hms47n65a.pdf
HMS47N65AN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 80 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID AAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features
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History: SSA50R060S
