Справочник MOSFET. HMS47N60A

 

HMS47N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HMS47N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для HMS47N60A

 

 

HMS47N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  cn hmsemi
 hms47n60a.pdf

HMS47N60A HMS47N60A

HMS47N60AN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction 600 V VDS@Tjmaxtechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 70 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID AAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Fea

 7.1. Size:974K  cn hmsemi
 hms47n65a.pdf

HMS47N60A HMS47N60A

HMS47N65AN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 80 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID AAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top