Справочник MOSFET. HMS47N60A

 

HMS47N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS47N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HMS47N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS47N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  cn hmsemi
 hms47n60a.pdf pdf_icon

HMS47N60A

HMS47N60AN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction 600 V VDS@Tjmaxtechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 70 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID AAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Fea

 7.1. Size:974K  cn hmsemi
 hms47n65a.pdf pdf_icon

HMS47N60A

HMS47N65AN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 80 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID AAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features

Другие MOSFET... HMS4294 , HMS4296 , HMS4296B , HMS4438 , HMS4444A , HMS4454 , HMS45N15D , HMS45N15K , BS170 , HMS47N65A , HMS4N70 , HMS4N70D , HMS4N70F , HMS4N70I , HMS4N70K , HMS50N12DA , HMS50N15LD .

History: SVD501DEAG | CS6N70FB9D | DH100P30CI | NTMFS4837NT1G | VBK362K | OSG65R380FTF | HAT1096C

 

 
Back to Top

 


 
.