HMS50N12DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HMS50N12DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS50N12DA

HMS50N12DA Datasheet (PDF)

..1. Size:417K cn hmsemi
hms50n12da.pdf

N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high VDS =120V,ID =50A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=10m (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS(ON)=12m (typical) @ VG

7.1. Size:746K cn hmsemi
hms50n15ld.pdf

HMS50N15LD N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS50N15LD uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous recti

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History: FDPF390N15A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: