HMS50N12DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS50N12DA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS50N12DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS50N12DA даташит

 ..1. Size:417K  cn hmsemi
 hms50n12da.pdf pdf_icon

HMS50N12DA

N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high VDS =120V,ID =50A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=10m (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS(ON)=12m (typical) @ VG

 7.1. Size:746K  cn hmsemi
 hms50n15ld.pdf pdf_icon

HMS50N12DA

HMS50N15LD N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS50N15LD uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous recti

Другие IGBT... HMS45N15K, HMS47N60A, HMS47N65A, HMS4N70, HMS4N70D, HMS4N70F, HMS4N70I, HMS4N70K, IRF540, HMS50N15LD, HMS5N90I, HMS5N90K, HMS60N04EQ, HMS60N06D, HMS60N10D, HMS65N03Q, HMS75N65T