HMS5N90I Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMS5N90I  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HMS5N90I MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HMS5N90I datasheet

 ..1. Size:970K  cn hmsemi
hms5n90k hms5n90i.pdf pdf_icon

HMS5N90I

HMS5N90I/HMS5N90K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 900 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1.5 DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Otros transistores... HMS47N65A, HMS4N70, HMS4N70D, HMS4N70F, HMS4N70I, HMS4N70K, HMS50N12DA, HMS50N15LD, IRFP460, HMS5N90K, HMS60N04EQ, HMS60N06D, HMS60N10D, HMS65N03Q, HMS75N65T, HMS7N65I, HMS7N65K