HMS5N90I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS5N90I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 46 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.4 V
Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS5N90I
HMS5N90I Datasheet (PDF)
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HMS5N90I/HMS5N90K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 900 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1.5 DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe
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