HMS5N90I Todos los transistores

 

HMS5N90I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS5N90I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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HMS5N90I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  cn hmsemi
 hms5n90k hms5n90i.pdf pdf_icon

HMS5N90I

HMS5N90I/HMS5N90K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 900 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1.5 DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

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History: IXTH05N250P3HV | BL7N65B-A | CS630D | SVS80R430FJDE3 | IRF3709SPBF | TF3401 | AM90P04-03P

 

 
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