Справочник MOSFET. HMS5N90I

 

HMS5N90I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS5N90I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HMS5N90I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS5N90I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  cn hmsemi
 hms5n90k hms5n90i.pdf pdf_icon

HMS5N90I

HMS5N90I/HMS5N90K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 900 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1.5 DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Другие MOSFET... HMS47N65A , HMS4N70 , HMS4N70D , HMS4N70F , HMS4N70I , HMS4N70K , HMS50N12DA , HMS50N15LD , IRF640 , HMS5N90K , HMS60N04EQ , HMS60N06D , HMS60N10D , HMS65N03Q , HMS75N65T , HMS7N65I , HMS7N65K .

History: RJK2017DPP | BSC072N03LDG

 

 
Back to Top

 


 
.