HMS65N03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HMS65N03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 773 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3-8L
     - Selección de transistores por parámetros