Справочник MOSFET. HMS65N03Q

 

HMS65N03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS65N03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для HMS65N03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS65N03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  cn hmsemi
 hms65n03q.pdf pdf_icon

HMS65N03Q

HMS65N03QN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS65N03Q uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific

Другие MOSFET... HMS4N70K , HMS50N12DA , HMS50N15LD , HMS5N90I , HMS5N90K , HMS60N04EQ , HMS60N06D , HMS60N10D , IRF640N , HMS75N65T , HMS7N65I , HMS7N65K , HMS7N70I , HMS7N70K , HMS80N06D , HMS80N10 , HMS80N10AL .

History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.