HMS65N03Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS65N03Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS65N03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS65N03Q даташит

 ..1. Size:519K  cn hmsemi
 hms65n03q.pdf pdf_icon

HMS65N03Q

HMS65N03Q N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS65N03Q uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific

Другие IGBT... HMS4N70K, HMS50N12DA, HMS50N15LD, HMS5N90I, HMS5N90K, HMS60N04EQ, HMS60N06D, HMS60N10D, IRFB4110, HMS75N65T, HMS7N65I, HMS7N65K, HMS7N70I, HMS7N70K, HMS80N06D, HMS80N10, HMS80N10AL