HMS75N65T Todos los transistores

 

HMS75N65T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS75N65T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 510 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HMS75N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  cn hmsemi
 hms75n65t.pdf pdf_icon

HMS75N65T

HMS75N65TN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 650 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low R 36 m DS(ON) TYP.gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 75 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

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History: BUK963R1-40E | IPB80P03P4-05 | AOI7S65 | AOK10N90 | IRL630A

 

 
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