HMS75N65T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMS75N65T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 510 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO247

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HMS75N65T datasheet

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HMS75N65T

HMS75N65T N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 650 V DS technology and design to provide excellent RDS(ON) with low R 36 m DS(ON) TYP. gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 75 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

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