HMS75N65T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS75N65T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 510 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 116 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 252 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS75N65T
HMS75N65T Datasheet (PDF)
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HMS75N65TN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 650 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low R 36 m DS(ON) TYP.gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 75 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.
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