HMS75N65T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HMS75N65T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 510 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HMS75N65T
HMS75N65T Datasheet (PDF)
hms75n65t.pdf

HMS75N65TN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 650 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low R 36 m DS(ON) TYP.gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 75 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.
Другие MOSFET... HMS50N12DA , HMS50N15LD , HMS5N90I , HMS5N90K , HMS60N04EQ , HMS60N06D , HMS60N10D , HMS65N03Q , IRF630 , HMS7N65I , HMS7N65K , HMS7N70I , HMS7N70K , HMS80N06D , HMS80N10 , HMS80N10AL , HMS80N10D .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet