HMS75N65T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS75N65T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 510 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS75N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS75N65T даташит

 ..1. Size:486K  cn hmsemi
 hms75n65t.pdf pdf_icon

HMS75N65T

HMS75N65T N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 650 V DS technology and design to provide excellent RDS(ON) with low R 36 m DS(ON) TYP. gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 75 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

Другие IGBT... HMS50N12DA, HMS50N15LD, HMS5N90I, HMS5N90K, HMS60N04EQ, HMS60N06D, HMS60N10D, HMS65N03Q, IRF640N, HMS7N65I, HMS7N65K, HMS7N70I, HMS7N70K, HMS80N06D, HMS80N10, HMS80N10AL, HMS80N10D