Справочник MOSFET. HMS75N65T

 

HMS75N65T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS75N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 510 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HMS75N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS75N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  cn hmsemi
 hms75n65t.pdf pdf_icon

HMS75N65T

HMS75N65TN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 650 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low R 36 m DS(ON) TYP.gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 75 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

Другие MOSFET... HMS50N12DA , HMS50N15LD , HMS5N90I , HMS5N90K , HMS60N04EQ , HMS60N06D , HMS60N10D , HMS65N03Q , IRF630 , HMS7N65I , HMS7N65K , HMS7N70I , HMS7N70K , HMS80N06D , HMS80N10 , HMS80N10AL , HMS80N10D .

 

 
Back to Top

 


 
.