HMS7N65I Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMS7N65I  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HMS7N65I MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HMS7N65I datasheet

 ..1. Size:485K  cn hmsemi
 hms7n65i hms7n65k.pdf pdf_icon

HMS7N65I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

 9.1. Size:513K  cn hmsemi
 hms7n70i hms7n70k.pdf pdf_icon

HMS7N65I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Otros transistores... HMS50N15LD, HMS5N90I, HMS5N90K, HMS60N04EQ, HMS60N06D, HMS60N10D, HMS65N03Q, HMS75N65T, IRFP260N, HMS7N65K, HMS7N70I, HMS7N70K, HMS80N06D, HMS80N10, HMS80N10AL, HMS80N10D, HMS80N10KA