Справочник MOSFET. HMS7N65I

 

HMS7N65I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS7N65I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS7N65I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  cn hmsemi
 hms7n65i hms7n65k.pdf pdf_icon

HMS7N65I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

 9.1. Size:513K  cn hmsemi
 hms7n70i hms7n70k.pdf pdf_icon

HMS7N65I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TTP118N08A | MTE130N20FP | TK3A60DA | NTB5404N | 2N4392CSM | QS8K13

 

 
Back to Top

 


 
.