Справочник MOSFET. HMS7N65I

 

HMS7N65I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS7N65I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HMS7N65I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS7N65I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  cn hmsemi
 hms7n65i hms7n65k.pdf pdf_icon

HMS7N65I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

 9.1. Size:513K  cn hmsemi
 hms7n70i hms7n70k.pdf pdf_icon

HMS7N65I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Другие MOSFET... HMS50N15LD , HMS5N90I , HMS5N90K , HMS60N04EQ , HMS60N06D , HMS60N10D , HMS65N03Q , HMS75N65T , 10N60 , HMS7N65K , HMS7N70I , HMS7N70K , HMS80N06D , HMS80N10 , HMS80N10AL , HMS80N10D , HMS80N10KA .

History: FQB19N10LTM | SI4682DY | SM4435 | IXTA8N50P | LSB60R030HT | STD7N80K5 | RZL025P01TR

 

 
Back to Top

 


 
.