FNK6075K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FNK6075K

Código: 6075K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 50 nC

Tiempo de subida (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0094 Ohm

Paquete / Cubierta: TO252

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FNK6075K Datasheet (PDF)

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FNK6075KFNK N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The FNK6075K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

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