Справочник MOSFET. FNK6075K

 

FNK6075K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FNK6075K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FNK6075K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  1
 fnk6075k.pdf pdf_icon

FNK6075K

FNK6075KFNK N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The FNK6075K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RD01MUS2 | NCE0130A | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | STU435S

 

 
Back to Top

 


 
.