Справочник MOSFET. FNK6075K

 

FNK6075K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FNK6075K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FNK6075K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FNK6075K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  1
 fnk6075k.pdf pdf_icon

FNK6075K

FNK6075KFNK N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The FNK6075K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

Другие MOSFET... HMS8N70 , HMS8N70D , HMS8N70F , HMS8N70I , HMS8N70K , HMS90N04D , AO3413L , CSD30N70 , IRLZ44N , KMK1265F , ZM075N03D , YSP040N010T1A , YSK038N010T1A , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE .

 

 
Back to Top

 


 
.