YSK038N010T1A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YSK038N010T1A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 236 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de YSK038N010T1A MOSFET
YSK038N010T1A Datasheet (PDF)
ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R
Otros transistores... HMS8N70K , HMS90N04D , AO3413L , CSD30N70 , FNK6075K , KMK1265F , ZM075N03D , YSP040N010T1A , IRFP250 , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 .
History: 2SK3589-01 | CEB02N7G | FMR17N60ES | BSC050NE2LS | NTD20N06LT4G | 2N6766 | DMN3115UDM
History: 2SK3589-01 | CEB02N7G | FMR17N60ES | BSC050NE2LS | NTD20N06LT4G | 2N6766 | DMN3115UDM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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