YSK038N010T1A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YSK038N010T1A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 236 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 67 nC

Tiempo de subida (tr): 84 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1080 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm

Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YSK038N010T1A

 

BUY TRANSISTORS

 

YSK038N010T1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  cn luxin semi
 ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF1405 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .