YSK038N010T1A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: YSK038N010T1A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 236 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 67 nC

Время нарастания (tr): 84 ns

Выходная емкость (Cd): 1080 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для YSK038N010T1A

 

BUY TRANSISTORS

 

 

YSK038N010T1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  cn luxin semi
 ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF630 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .