Справочник MOSFET. YSK038N010T1A

 

YSK038N010T1A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YSK038N010T1A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 236 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
   Время нарастания (tr): 84 ns
   Выходная емкость (Cd): 1080 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для YSK038N010T1A

 

 

YSK038N010T1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  cn luxin semi
 ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSK038N010T1A YSK038N010T1A

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top