Справочник MOSFET. YSK038N010T1A

 

YSK038N010T1A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YSK038N010T1A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 236 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
   Время нарастания (tr): 84 ns
   Выходная емкость (Cd): 1080 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для YSK038N010T1A

 

 

YSK038N010T1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  cn luxin semi
ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSK038N010T1A
YSK038N010T1A

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Другие MOSFET... HMS8N70K , HMS90N04D , AO3413L , CSD30N70 , FNK6075K , KMK1265F , ZM075N03D , YSP040N010T1A , K4145 , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 .

 

 
Back to Top