YSK038N010T1A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YSK038N010T1A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 236 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
Время нарастания (tr): 84 ns
Выходная емкость (Cd): 1080 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для YSK038N010T1A
YSK038N010T1A Datasheet (PDF)
..1. Size:476K cn luxin semi
ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf
ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf
YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
