YSK038N010T1A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: YSK038N010T1A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для YSK038N010T1A
YSK038N010T1A Datasheet (PDF)
ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R
Другие MOSFET... HMS8N70K , HMS90N04D , AO3413L , CSD30N70 , FNK6075K , KMK1265F , ZM075N03D , YSP040N010T1A , IRFP250 , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 .
History: RU8080S | SIA445EDJT | APT5010LFLL | SI3853DV
History: RU8080S | SIA445EDJT | APT5010LFLL | SI3853DV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor