GWM13S65YRE Todos los transistores

 

GWM13S65YRE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GWM13S65YRE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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GWM13S65YRE Datasheet (PDF)

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GWM13S65YRE

GWM13S65Y POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand SJ MOS high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This Higher Current Rating new high energy device also offers a drain-to-source diode Lower Rds(on) with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed Lower Capacitances switchin

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History: STD11NM50N | AP2301 | FKI10198 | BRCS4614SC | NCE65TF099F | SSG4530C | WMK023N08HGS

 

 
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