GWM13S65YRE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GWM13S65YRE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 81 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 21 nC

Время нарастания (tr): 43 ns

Выходная емкость (Cd): 30 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для GWM13S65YRE

 

BUY TRANSISTORS

 

 

GWM13S65YRE Datasheet (PDF)

 5.1. Size:522K  1
 gwm13s65y.pdf

GWM13S65Y POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand SJ MOS high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This Higher Current Rating new high energy device also offers a drain-to-source diode Lower Rds(on) with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed Lower Capacitances switchin

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF630 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .