Справочник MOSFET. GWM13S65YRE

 

GWM13S65YRE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM13S65YRE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM13S65YRE Datasheet (PDF)

 5.1. Size:522K  1
 gwm13s65y.pdf pdf_icon

GWM13S65YRE

GWM13S65Y POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand SJ MOS high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This Higher Current Rating new high energy device also offers a drain-to-source diode Lower Rds(on) with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed Lower Capacitances switchin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APM7312K | SWN7N65K2 | JCS8N60BC | IPP47N10SL-26 | LNTR4003NLT1G | IRF7433PBF | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.