GWM13S65YRY Todos los transistores

 

GWM13S65YRY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GWM13S65YRY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 103 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 21 nC
   Tiempo de subida (tr): 43 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET GWM13S65YRY

 

GWM13S65YRY Datasheet (PDF)

 5.1. Size:522K  1
gwm13s65y.pdf

GWM13S65YRY
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GWM13S65Y POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand SJ MOS high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This Higher Current Rating new high energy device also offers a drain-to-source diode Lower Rds(on) with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed Lower Capacitances switchin

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P55NF06 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
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