GWM13S65YRY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GWM13S65YRY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для GWM13S65YRY
GWM13S65YRY Datasheet (PDF)
gwm13s65y.pdf

GWM13S65Y POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand SJ MOS high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This Higher Current Rating new high energy device also offers a drain-to-source diode Lower Rds(on) with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed Lower Capacitances switchin
Другие MOSFET... ZM075N03D , YSP040N010T1A , YSK038N010T1A , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , 10N65 , GWM13S65YRX , RX80N07 , SVG104R5NT , SVG104R5NS , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G .
History: SI4532ADY-T1 | IRFS150 | STL17N3LLH6 | FDD86369-F085 | SIHFP460LC | SPB100N06S2L-05 | PTY80N06
History: SI4532ADY-T1 | IRFS150 | STL17N3LLH6 | FDD86369-F085 | SIHFP460LC | SPB100N06S2L-05 | PTY80N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns