RX80N07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RX80N07

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 120 nC

Tiempo de subida (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 740 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Paquete / Cubierta: TO220

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RX80N07 Datasheet (PDF)

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CPEC RX80N07 RX80N07 Silicon N Channel Power MOSFET Description The RX80N07 is n-channel enhancement mode trench power MOSFET with fast switching speed , low on-resistance. usually used at power switching application . Features VDSS =70V ID =80A RDS(on)8m (VGS=10V) Application Switching application Chengdu Promising chip Electronics Co., Ltd. www.ch

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