RX80N07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RX80N07
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 120 nC
   Tiempo de subida (tr): 100 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 740 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RX80N07

RX80N07 Datasheet (PDF)

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rx80n07.pdf

CPEC RX80N07 RX80N07 Silicon N Channel Power MOSFET Description The RX80N07 is n-channel enhancement mode trench power MOSFET with fast switching speed , low on-resistance. usually used at power switching application . Features VDSS =70V ID =80A RDS(on)8m (VGS=10V) Application Switching application Chengdu Promising chip Electronics Co., Ltd. www.ch

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Liste

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