RX80N07 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RX80N07  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RX80N07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RX80N07 даташит

 ..1. Size:527K  1
 rx80n07.pdf pdf_icon

RX80N07

CPEC RX80N07 RX80N07 Silicon N Channel Power MOSFET Description The RX80N07 is n-channel enhancement mode trench power MOSFET with fast switching speed , low on-resistance. usually used at power switching application . Features VDSS =70V ID =80A RDS(on) 8m (VGS=10V) Application Switching application Chengdu Promising chip Electronics Co., Ltd. www.ch

Другие IGBT... YSK038N010T1A, YSF040N010T1A, 2SK741, DTM4415, GWM13S65YRE, GWM13S65YRD, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, 10N65, SVG104R5NT, SVG104R5NS, VS1401ATH, HCCW120R080H1, HCCZ120R080H1, VS3620DE-G, VS3620DP-G, VS3622DP