RX80N07 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RX80N07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 120 nC

Время нарастания (tr): 100 ns

Выходная емкость (Cd): 740 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для RX80N07

 

BUY TRANSISTORS

 

 

RX80N07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  1
 rx80n07.pdf

CPEC RX80N07 RX80N07 Silicon N Channel Power MOSFET Description The RX80N07 is n-channel enhancement mode trench power MOSFET with fast switching speed , low on-resistance. usually used at power switching application . Features VDSS =70V ID =80A RDS(on)8m (VGS=10V) Application Switching application Chengdu Promising chip Electronics Co., Ltd. www.ch

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF630 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .