RX80N07 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RX80N07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для RX80N07
RX80N07 Datasheet (PDF)
rx80n07.pdf

CPEC RX80N07 RX80N07 Silicon N Channel Power MOSFET Description The RX80N07 is n-channel enhancement mode trench power MOSFET with fast switching speed , low on-resistance. usually used at power switching application . Features VDSS =70V ID =80A RDS(on)8m (VGS=10V) Application Switching application Chengdu Promising chip Electronics Co., Ltd. www.ch
Другие MOSFET... YSK038N010T1A , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , P0903BDG , SVG104R5NT , SVG104R5NS , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP .
History: BS107P | SSF6N80A | 10N65 | STM6708 | SSF6N90A | 2N5484
History: BS107P | SSF6N80A | 10N65 | STM6708 | SSF6N90A | 2N5484



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT028N10P | MPT023N10T | MPT012N08T | MPG90N08S | MPG90N08P | MPG80N06P | MPG60NF06P | MPG60N10P | MPG40N10P | MPG30N10P | MPG30N06P | MPG200N08S | MPG200N08P | MPG180N10S | MPG180N10P | MDT08N06D
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet