HCCW120R080H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCCW120R080H1
Código: 120R080H1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 220 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 55.5 nC
Tiempo de subida (tr): 24.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 97 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCCW120R080H1
HCCW120R080H1 Datasheet (PDF)
hccw120r080h1.pdf
HCCW120R080H11200V/80m N-Channel SIC Power MOSFETFeaturesV 1200 VDS High speed switching with low on-resistanceR 80 mDS(on),TYP@25 Very low switching lossesI 36 AD Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247 Robust body diode123DPart ID Package Type Marking PackingHCCW120R080H1 TO-247 120R080H1 30pcs/PipeG
hccw120r040h1.pdf
HCCW120R040H11200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 1200 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technologyI D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitancesTO-247 Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg testedPart ID Package Typ
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: OSG60R099HF
