HCCW120R080H1 - описание и поиск аналогов

 

HCCW120R080H1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCCW120R080H1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HCCW120R080H1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCCW120R080H1 даташит

 ..1. Size:1201K  cn vgsemi
 hccw120r080h1.pdf pdf_icon

HCCW120R080H1

HCCW120R080H1 1200V/80m N-Channel SIC Power MOSFET Features V 1200 V DS High speed switching with low on-resistance R 80 m DS(on),TYP@25 Very low switching losses I 36 A D Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247 Robust body diode 1 2 3 D Part ID Package Type Marking Packing HCCW120R080H1 TO-247 120R080H1 30pcs/Pipe G

 5.1. Size:1318K  cn vgsemi
 hccw120r040h1.pdf pdf_icon

HCCW120R080H1

HCCW120R040H1 1200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 1200 V Features R DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technology I D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances TO-247 Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg tested Part ID Package Typ

Другие MOSFET... GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 , SVG104R5NT , SVG104R5NS , VS1401ATH , RFP50N06 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G .

History: SM6106PSK | IXFH20N85X | 2SK4059CT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.