HCCZ120R080H1 Todos los transistores

 

HCCZ120R080H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCCZ120R080H1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 288 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4
 

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HCCZ120R080H1 Datasheet (PDF)

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HCCZ120R080H1

HCCZ120R080H11200V/80m N-Channel SIC Power MOSFETFeaturesV 1200 VDS High speed switching with low on-resistanceR 80 mDS(on),TYP@25 Very low switching lossesI 36 AD Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247-4L Robust body diode1234Part ID Package Type Marking PackingHCCZ120R080H1 TO-247-4L 120R080H1 30pcs/P

 5.1. Size:3498K  cn vgsemi
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HCCZ120R080H1

HCCZ120R040H11200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 1200 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technologyI D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitancesTO-247-4L Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg testedPart ID Package

Otros transistores... GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 , SVG104R5NT , SVG104R5NS , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , IRFZ46N , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G .

History: IXTQ69N30PM | SWP10N50K | SM4050PSK | ELM16409EA | WSD50P10ADN56 | SM2311PSA

 

 
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