HCCZ120R080H1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCCZ120R080H1  📄📄 

Código: 120R080H1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 288 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 55.5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 24.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TO247-4

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HCCZ120R080H1 datasheet

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HCCZ120R080H1

HCCZ120R080H1 1200V/80m N-Channel SIC Power MOSFET Features V 1200 V DS High speed switching with low on-resistance R 80 m DS(on),TYP@25 Very low switching losses I 36 A D Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247-4L Robust body diode 1 2 3 4 Part ID Package Type Marking Packing HCCZ120R080H1 TO-247-4L 120R080H1 30pcs/P

 5.1. Size:3498K  cn vgsemi
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HCCZ120R080H1

HCCZ120R040H1 1200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 1200 V Features R DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technology I D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances TO-247-4L Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg tested Part ID Package

Otros transistores... GWM13S65YRD, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, RX80N07, SVG104R5NT, SVG104R5NS, VS1401ATH, HCCW120R080H1, SI2302, VS3620DE-G, VS3620DP-G, VS3622DP, VS3622DP2, VS3622DP3, VS3622DS, VS3628DE-G, VS3638DE-G