Справочник MOSFET. HCCZ120R080H1

 

HCCZ120R080H1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCCZ120R080H1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для HCCZ120R080H1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCCZ120R080H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1127K  cn vgsemi
 hccz120r080h1.pdf pdf_icon

HCCZ120R080H1

HCCZ120R080H11200V/80m N-Channel SIC Power MOSFETFeaturesV 1200 VDS High speed switching with low on-resistanceR 80 mDS(on),TYP@25 Very low switching lossesI 36 AD Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247-4L Robust body diode1234Part ID Package Type Marking PackingHCCZ120R080H1 TO-247-4L 120R080H1 30pcs/P

 5.1. Size:3498K  cn vgsemi
 hccz120r040h1.pdf pdf_icon

HCCZ120R080H1

HCCZ120R040H11200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 1200 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technologyI D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitancesTO-247-4L Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg testedPart ID Package

Другие MOSFET... GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 , SVG104R5NT , SVG104R5NS , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , IRFZ46N , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G .

History: 40N20 | WST4041 | NCEP060N10F | SMN04L20D | WM06P17MR | FQAF16N25C | FIR4N65LG

 

 
Back to Top

 


 
.