VS4620DP-G Todos los transistores

 

VS4620DP-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS4620DP-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VS4620DP-G datasheet

 ..1. Size:962K  cn vgsemi
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VS4620DP-G

VS4620DP-G 40V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 48 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 36 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packi

 7.1. Size:955K  cn vgsemi
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VS4620DP-G

VS4620DE-G 40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 9 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 47 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Dual Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Pa

 7.2. Size:952K  cn vgsemi
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VS4620DP-G

VS4620DS-G 40V/11A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 8.1 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS Technology I D 11 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested SOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VS4620DS-G SOP8 4620DS 3000pcs/Reel

 8.1. Size:894K  cn vgsemi
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VS4620DP-G

VS4620GD 40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS Technolog I D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses TO-252 Part ID Package Type Marking Packing VS4620GD TO-252 4620

Otros transistores... VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G , IRF1405 , VS4620DS-G , VS4640DE , VSA007N02KD , SD2933W , FDD6030BL , FDD603AL , FDD6644 , FDU6644 .

History: WML13N65EM | WMO14N60C4

 

 

 

 

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