Справочник MOSFET. VS4620DP-G

 

VS4620DP-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS4620DP-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4620DP-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:962K  cn vgsemi
 vs4620dp-g.pdf pdf_icon

VS4620DP-G

VS4620DP-G40V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 48 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 36 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packi

 7.1. Size:955K  cn vgsemi
 vs4620de-g.pdf pdf_icon

VS4620DP-G

VS4620DE-G40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 9 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 47 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 Dual Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPa

 7.2. Size:952K  cn vgsemi
 vs4620ds-g.pdf pdf_icon

VS4620DP-G

VS4620DS-G40V/11A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 8.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS TechnologyI D 11 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedSOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVS4620DS-G SOP8 4620DS 3000pcs/Reel

 8.1. Size:894K  cn vgsemi
 vs4620gd.pdf pdf_icon

VS4620DP-G

VS4620GD40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologI D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS4620GD TO-252 4620

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.