VSA007N02KD Todos los transistores

 

VSA007N02KD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSA007N02KD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TDFN2X3-6L

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VSA007N02KD datasheet

 ..1. Size:1078K  cn vgsemi
 vsa007n02kd.pdf pdf_icon

VSA007N02KD

VSA007N02KD 20V/13A Common-Drain Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 m Dual N-Channel 2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=2.5V 9.4 m Enhancement mode I D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5V 100% Avalanche Tested TDFN2x3-6L Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing

Otros transistores... VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G , VS4640DE , IRFZ46N , SD2933W , FDD6030BL , FDD603AL , FDD6644 , FDU6644 , FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S .

History: BRD630 | BFC60 | WSE3088 | WMM07N100C2

 

 

 

 

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