VSA007N02KD Todos los transistores

 

VSA007N02KD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSA007N02KD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN2X3-6L
 

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VSA007N02KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  cn vgsemi
 vsa007n02kd.pdf pdf_icon

VSA007N02KD

VSA007N02KD20V/13A Common-Drain Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 m Dual N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=2.5V 9.4 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5V 100% Avalanche TestedTDFN2x3-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking Packing

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History: AP65PN2R5I

 

 
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