VSA007N02KD - описание и поиск аналогов

 

VSA007N02KD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSA007N02KD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TDFN2X3-6L

Аналог (замена) для VSA007N02KD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSA007N02KD даташит

 ..1. Size:1078K  cn vgsemi
 vsa007n02kd.pdf pdf_icon

VSA007N02KD

VSA007N02KD 20V/13A Common-Drain Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 m Dual N-Channel 2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=2.5V 9.4 m Enhancement mode I D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5V 100% Avalanche Tested TDFN2x3-6L Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing

Другие MOSFET... VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G , VS4640DE , IRFZ46N , SD2933W , FDD6030BL , FDD603AL , FDD6644 , FDU6644 , FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S .

History: VS4620DP-G | S-LBSS138WT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.