Справочник MOSFET. VSA007N02KD

 

VSA007N02KD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSA007N02KD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X3-6L
 

 Аналог (замена) для VSA007N02KD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSA007N02KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  cn vgsemi
 vsa007n02kd.pdf pdf_icon

VSA007N02KD

VSA007N02KD20V/13A Common-Drain Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 m Dual N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=2.5V 9.4 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5V 100% Avalanche TestedTDFN2x3-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking Packing

Другие MOSFET... VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G , VS4640DE , STP65NF06 , SD2933W , FDD6030BL , FDD603AL , FDD6644 , FDU6644 , FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S .

History: SI2318CDS-T1-GE3 | NTMFS4927N

 

 
Back to Top

 


 
.