FDH20N40 Todos los transistores

 

FDH20N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH20N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 273 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.216 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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FDH20N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  fairchild semi
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FDH20N40

October 2002FDH20N40 / FDP20N40 20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple DriveSwitch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyb

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
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FDH20N40

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH20N40FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.216(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... FDD6644 , FDU6644 , FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , AO4468 , FDP20N40 , FDH34N40 , FMV60N280S2HF , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH .

History: RU3582R | BSC012N06NS | NTJS3157NT1G | CHM830GPAGP | UPA1720 | UPA1918 | SRC65R072B

 

 
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