FDH20N40 Todos los transistores

 

FDH20N40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDH20N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 273 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.216 Ohm

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de FDH20N40 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDH20N40 datasheet

 ..1. Size:150K  fairchild semi
 fdh20n40 fdp20n40.pdf pdf_icon

FDH20N40

October 2002 FDH20N40 / FDP20N40 20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyb

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh20n40.pdf pdf_icon

FDH20N40

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH20N40 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.216 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... FDD6644 , FDU6644 , FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , 60N06 , FDP20N40 , FDH34N40 , FMV60N280S2HF , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.