Справочник MOSFET. FDH20N40

 

FDH20N40 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDH20N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.216 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FDH20N40

 

 

FDH20N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  fairchild semi
 fdh20n40 fdp20n40.pdf

FDH20N40 FDH20N40

October 2002FDH20N40 / FDP20N40 20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple DriveSwitch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyb

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 fdh20n40.pdf

FDH20N40 FDH20N40

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH20N40FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.216(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top