Справочник MOSFET. FDH20N40

 

FDH20N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDH20N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.216 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FDH20N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH20N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  fairchild semi
fdh20n40 fdp20n40.pdfpdf_icon

FDH20N40

October 2002FDH20N40 / FDP20N40 20A, 400V, 0.216 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple DriveSwitch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyb

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
fdh20n40.pdfpdf_icon

FDH20N40

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH20N40FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.216(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FDD6644 , FDU6644 , FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , AO4468 , FDP20N40 , FDH34N40 , FMV60N280S2HF , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH .

History: AONR34332C | MTP4835Q8 | IPD90N06S4-05 | PT4606 | NP82N04PUG | AUIRF8736M2TR

 

 
Back to Top

 


 
.