FMV60N280S2HF Todos los transistores

 

FMV60N280S2HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMV60N280S2HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 290 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FMV60N280S2HF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMV60N280S2HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  inchange semiconductor
 fmv60n280s2hf.pdf pdf_icon

FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N280S2HFFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand

 8.1. Size:252K  inchange semiconductor
 fmv60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N190S2HFFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.19(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general

Otros transistores... FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , FDH34N40 , BS170 , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH , MDP13N50TH .

History: FDD6N50TF | 2SJ125

 

 
Back to Top

 


 
.