FMV60N280S2HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMV60N280S2HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 26 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 33 nC
Tiempo de subida (tr): 290 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FMV60N280S2HF
FMV60N280S2HF Datasheet (PDF)
fmv60n280s2hf.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N280S2HFFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand
fmv60n190s2hf.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N190S2HFFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.19(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general
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