FMV60N280S2HF Todos los transistores

 

FMV60N280S2HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMV60N280S2HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 290 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO220F

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FMV60N280S2HF datasheet

 ..1. Size:279K  inchange semiconductor
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FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N280S2HF FEATURES Drain Current I = 13A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.28 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and

 8.1. Size:252K  inchange semiconductor
 fmv60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N190S2HF FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.19 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general

Otros transistores... FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , FDH34N40 , IRF730 , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH , MDP13N50TH .

 

 

 

 

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