Справочник MOSFET. FMV60N280S2HF

 

FMV60N280S2HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FMV60N280S2HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 26 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
   Время нарастания (tr): 290 ns
   Выходная емкость (Cd): 22 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для FMV60N280S2HF

 

 

FMV60N280S2HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  inchange semiconductor
fmv60n280s2hf.pdf

FMV60N280S2HF
FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N280S2HFFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand

 8.1. Size:252K  inchange semiconductor
fmv60n190s2hf.pdf

FMV60N280S2HF
FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N190S2HFFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.19(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top