FMV60N280S2HF - аналоги и даташиты транзистора

 

FMV60N280S2HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMV60N280S2HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 290 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FMV60N280S2HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV60N280S2HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  inchange semiconductor
 fmv60n280s2hf.pdf pdf_icon

FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N280S2HFFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand

 8.1. Size:252K  inchange semiconductor
 fmv60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N190S2HFFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.19(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general

Другие MOSFET... FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , FDH34N40 , IRFP064N , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH , MDP13N50TH .

History: FDS2572 | 2SK3060-Z | AP10TN030M | BSC057N08NS3G | RU30L40M3 | BSC079N03LSCG | BSZ017NE2LS5I

 

 
Back to Top

 


 
.