MME65R280QRH Todos los transistores

 

MME65R280QRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MME65R280QRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1192 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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MME65R280QRH datasheet

 ..1. Size:1599K  magnachip
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MME65R280QRH

MME65R280Q Datasheet MME65R280Q 650V 0.28 N-channel MOSFET Description MME65R280Q is power MOSFET using Magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of low EMI to designers as well as l

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
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MME65R280QRH

isc N-Channel MOSFET Transistor MME65R280QRH FEATURES Drain Current I = 13.8A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.28 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and

Otros transistores... MMD60R360QRH , MMD60R580PBRH , MMD65R380QRH , MMD80R1K2PRH , MMD80R1K2QZRH , MMD80R900PCRH , MMD80R900QZRH , MME60R290QRH , AON6414A , MME80R290PRH , MMF60R190QTH , MMF60R280QBTH , MMF60R580QTH , MMF65R600QTH , MMF80R450PBTH , MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH .

History: KI5447DC | IRFPE50PBF | AGM206MDP | CEU75A3

 

 
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