MME65R280QRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MME65R280QRH
Código: 65R280Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 104.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 27.8 nC
Tiempo de subida (tr): 59 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1192 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MME65R280QRH
MME65R280QRH Datasheet (PDF)
mme65r280qrh.pdf
MME65R280Q Datasheet MME65R280Q 650V 0.28 N-channel MOSFET Description MME65R280Q is power MOSFET using Magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of low EMI to designers as well as l
mme65r280qrh.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MME65R280QRHFEATURESDrain Current : I = 13.8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand
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