MME65R280QRH - описание и поиск аналогов

 

MME65R280QRH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MME65R280QRH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MME65R280QRH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MME65R280QRH даташит

 ..1. Size:1599K  magnachip
 mme65r280qrh.pdf pdf_icon

MME65R280QRH

MME65R280Q Datasheet MME65R280Q 650V 0.28 N-channel MOSFET Description MME65R280Q is power MOSFET using Magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of low EMI to designers as well as l

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
 mme65r280qrh.pdf pdf_icon

MME65R280QRH

isc N-Channel MOSFET Transistor MME65R280QRH FEATURES Drain Current I = 13.8A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.28 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and

Другие MOSFET... MMD60R360QRH , MMD60R580PBRH , MMD65R380QRH , MMD80R1K2PRH , MMD80R1K2QZRH , MMD80R900PCRH , MMD80R900QZRH , MME60R290QRH , AON6414A , MME80R290PRH , MMF60R190QTH , MMF60R280QBTH , MMF60R580QTH , MMF65R600QTH , MMF80R450PBTH , MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH .

History: JCS18N50WH | AP13P15GS | AP9962AGM | AP15TP1R0M | AP0904GH | STF13NM60ND

 

 

 

 

↑ Back to Top
.