Справочник MOSFET. MME65R280QRH

 

MME65R280QRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MME65R280QRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MME65R280QRH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MME65R280QRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1599K  magnachip
 mme65r280qrh.pdf pdf_icon

MME65R280QRH

MME65R280Q Datasheet MME65R280Q 650V 0.28 N-channel MOSFET Description MME65R280Q is power MOSFET using Magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of low EMI to designers as well as l

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
 mme65r280qrh.pdf pdf_icon

MME65R280QRH

isc N-Channel MOSFET Transistor MME65R280QRHFEATURESDrain Current : I = 13.8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand

Другие MOSFET... MMD60R360QRH , MMD60R580PBRH , MMD65R380QRH , MMD80R1K2PRH , MMD80R1K2QZRH , MMD80R900PCRH , MMD80R900QZRH , MME60R290QRH , IRFB4110 , MME80R290PRH , MMF60R190QTH , MMF60R280QBTH , MMF60R580QTH , MMF65R600QTH , MMF80R450PBTH , MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH .

History: NCE60H15AD | CS7N70F | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.