YMP230N55 Todos los transistores

 

YMP230N55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YMP230N55

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO220

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YMP230N55 datasheet

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YMP230N55

http //www.ymicpower.com YMP230N55 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary General Description The YMP230N55 uses advanced trench technology and BVDSS typ. 55 V design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. RDS(ON) typ. 2 m This device is suitable for use in PWM, load switching and max. 3 m general purpose applications. ID 230 A Fea

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History: JFAM20N60C | FS10UM-9 | VN0106N3 | FTU02N60B | STB9NK90Z | FTP07N60 | IRF421

 

 

 

 

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