YMP230N55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YMP230N55
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 230 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 160 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1680 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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YMP230N55 Datasheet (PDF)
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http://www.ymicpower.comYMP230N55 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary General Description The YMP230N55 uses advanced trench technology and BVDSS typ. 55 V design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. RDS(ON) typ. 2 m This device is suitable for use in PWM, load switching and max. 3 m general purpose applications. ID 230 A Fea
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