Справочник MOSFET. YMP230N55

 

YMP230N55 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YMP230N55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для YMP230N55

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YMP230N55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1716K  1
 ymp230n55.pdf pdf_icon

YMP230N55

http://www.ymicpower.comYMP230N55 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary General Description The YMP230N55 uses advanced trench technology and BVDSS typ. 55 V design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. RDS(ON) typ. 2 m This device is suitable for use in PWM, load switching and max. 3 m general purpose applications. ID 230 A Fea

Другие MOSFET... MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH , MMF80R900QZTH , MMF80R900PBTH , MMFT60R195PCTH , S40N14S , HY3408 , STP1806 , 5N60 , JFAM18N50C , JFAM20N50C , JFAM20N50D , JFAM20N50E , JFAM20N60C , JFAM20N60D , JFAM20N60E , JFAM20N65C .

History: NVTFS6H850N | FQP7N80 | STP13N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.