YMP230N55 - описание и поиск аналогов

 

YMP230N55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YMP230N55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для YMP230N55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YMP230N55 даташит

 ..1. Size:1716K  1
 ymp230n55.pdf pdf_icon

YMP230N55

http //www.ymicpower.com YMP230N55 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary General Description The YMP230N55 uses advanced trench technology and BVDSS typ. 55 V design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. RDS(ON) typ. 2 m This device is suitable for use in PWM, load switching and max. 3 m general purpose applications. ID 230 A Fea

Другие MOSFET... MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH , MMF80R900QZTH , MMF80R900PBTH , MMFT60R195PCTH , S40N14S , HY3408 , STP1806 , IRLB4132 , JFAM18N50C , JFAM20N50C , JFAM20N50D , JFAM20N50E , JFAM20N60C , JFAM20N60D , JFAM20N60E , JFAM20N65C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.