JFAM18N50C Todos los transistores

 

JFAM18N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JFAM18N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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JFAM18N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:808K  jiaensemi
 jfam18n50c.pdf pdf_icon

JFAM18N50C

JFAM18N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 0.24@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge(40nC) technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, and

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History: AP0803GMT-A-HF | S-LBSS84ELT1G | 4N65L-TF3T-T | JMH65R640AK | JMH70R430AF | SWT47N65K2 | JMH65R980AKQ

 

 
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