Справочник MOSFET. JFAM18N50C

 

JFAM18N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFAM18N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для JFAM18N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFAM18N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:808K  jiaensemi
 jfam18n50c.pdf pdf_icon

JFAM18N50C

JFAM18N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 0.24@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge(40nC) technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, and

Другие MOSFET... MMF80R900PCTH , MMF80R900QZTH , MMF80R900PBTH , MMFT60R195PCTH , S40N14S , HY3408 , STP1806 , YMP230N55 , AO3400 , JFAM20N50C , JFAM20N50D , JFAM20N50E , JFAM20N60C , JFAM20N60D , JFAM20N60E , JFAM20N65C , JFAM20N65E .

History: 4N90L-TA3-T | FDC796NF077 | R6011ENX | SQM50N04-4M1 | 2N7288H | NCEP025N12LL | HIRF630

 

 
Back to Top

 


 
.