JFAM7N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFAM7N90C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de JFAM7N90C MOSFET
JFAM7N90C Datasheet (PDF)
jfam7n90c.pdf

JFAM7N90C 900V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s
Otros transistores... JFAM20N60E , JFAM20N65C , JFAM20N65E , JFAM24N50C , JFAM25N50E , JFAM30N50E , JFAM30N60E , JFAM50N50C , AO4407 , JFFC10N65D , JFFC13N65D , JFFC20N65C , JFFC7N65E , JFFC8N65C , JFFM13N50E , JFFM13N65D , JFFM20N60C .
History: WMM26N65F2 | DMN2004TK | IRF630P | SUN05A25F | WMO190N15HG4 | IRLML2060TR | WMO20P15TS
History: WMM26N65F2 | DMN2004TK | IRF630P | SUN05A25F | WMO190N15HG4 | IRLML2060TR | WMO20P15TS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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