JFAM7N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFAM7N90C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de JFAM7N90C MOSFET
JFAM7N90C Datasheet (PDF)
jfam7n90c.pdf

JFAM7N90C 900V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s
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History: 2SK2661 | B4N60 | AP4036AGM-HF | MEE15N10-G | IPA60R1K5CE | IRFR5305TRPBF
History: 2SK2661 | B4N60 | AP4036AGM-HF | MEE15N10-G | IPA60R1K5CE | IRFR5305TRPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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