JFAM7N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFAM7N90C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 271 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 48 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JFAM7N90C
JFAM7N90C Datasheet (PDF)
jfam7n90c.pdf
JFAM7N90C 900V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s
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