Справочник MOSFET. JFAM7N90C

 

JFAM7N90C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFAM7N90C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.95 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для JFAM7N90C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFAM7N90C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1165K  jiaensemi
 jfam7n90c.pdf pdf_icon

JFAM7N90C

JFAM7N90C 900V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s

Другие MOSFET... JFAM20N60E , JFAM20N65C , JFAM20N65E , JFAM24N50C , JFAM25N50E , JFAM30N50E , JFAM30N60E , JFAM50N50C , AO4407 , JFFC10N65D , JFFC13N65D , JFFC20N65C , JFFC7N65E , JFFC8N65C , JFFM13N50E , JFFM13N65D , JFFM20N60C .

History: RJP020N06 | WMO13N50C4 | NCE4963 | SFW9Z34TM | NTMS4937NR2G | 2SK767 | IPD640N06L

 

 
Back to Top

 


 
.