JFFM3N120E Todos los transistores

 

JFFM3N120E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JFFM3N120E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

JFFM3N120E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  jiaensemi
 jffm3n120e.pdf pdf_icon

JFFM3N120E

JFFM3N120E 1200V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 7.1. Size:767K  jiaensemi
 jffm3n150c.pdf pdf_icon

JFFM3N120E

JFFM3N150C 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices can be used in various power switchi

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History: NP89N04NUK | S68N08ZRN | WPM4801 | FQD18N20V2 | UT20N03 | KRF7343 | FDMS3660AS

 

 
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