JFFM3N120E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFFM3N120E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFFM3N120E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM3N120E даташит

 ..1. Size:943K  jiaensemi
 jffm3n120e.pdf pdf_icon

JFFM3N120E

JFFM3N120E 1200V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 7.1. Size:767K  jiaensemi
 jffm3n150c.pdf pdf_icon

JFFM3N120E

JFFM3N150C 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices can be used in various power switchi

Другие IGBT... JFFC10N65D, JFFC13N65D, JFFC20N65C, JFFC7N65E, JFFC8N65C, JFFM13N50E, JFFM13N65D, JFFM20N60C, 4N60, JFFM3N150C, JFFM7N90C, JFHM20N60C, JFHM20N60E, JFHM30N50P, JFHM50N50C, JFHM9N150E, JFPC10N60C