JFHM50N50C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFHM50N50C 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: TO247
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JFHM50N50C datasheet
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History: JFFM10N80C | IXFV12N90P | CJQ9435 | JFFC10N65C | CJPF05N65 | IXFN100N10S1
🌐 : EN ES РУ
Liste
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