JFHM50N50C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFHM50N50C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFHM50N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFHM50N50C даташит

 ..1. Size:940K  jiaensemi
 jfhm50n50c.pdf pdf_icon

JFHM50N50C

Другие IGBT... JFFM13N65D, JFFM20N60C, JFFM3N120E, JFFM3N150C, JFFM7N90C, JFHM20N60C, JFHM20N60E, JFHM30N50P, RFP50N06, JFHM9N150E, JFPC10N60C, JFFM10N60C, JFPC10N60CI, JFPC10N65C, JFFC10N65C, JFPC10N65CI, JFPC10N65D