Справочник MOSFET. JFHM50N50C

 

JFHM50N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFHM50N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JFHM50N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFHM50N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:940K  jiaensemi
 jfhm50n50c.pdf pdf_icon

JFHM50N50C

JFHM50N50C Silicon N-Channel Power MOSFET VDSS(TC=150) 500 V ID 50 A Features PD(TC=25) 250 W Fast Switching RDS(ON) 0.082 ESD Improved Capability Low Gate Charge (Typical Data: 140nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical: 80pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications: Power switch circuit of PC POWER Absolute

Другие MOSFET... JFFM13N65D , JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C , JFHM20N60E , JFHM30N50P , SKD502T , JFHM9N150E , JFPC10N60C , JFFM10N60C , JFPC10N60CI , JFPC10N65C , JFFC10N65C , JFPC10N65CI , JFPC10N65D .

History: PSA04N65B | SMN0250F | NCE4090K | MGSF1N03LT1G | SWD9N10V1 | HSM1562 | RU30J30M3

 

 
Back to Top

 


 
.