JFHM9N150E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFHM9N150E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 191 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de JFHM9N150E MOSFET
JFHM9N150E Datasheet (PDF)
jfhm9n150e.pdf

JFHM9N150E 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency
Otros transistores... JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C , JFHM20N60E , JFHM30N50P , JFHM50N50C , IRFZ46N , JFPC10N60C , JFFM10N60C , JFPC10N60CI , JFPC10N65C , JFFC10N65C , JFPC10N65CI , JFPC10N65D , JFPC10N80C .
History: NP60N04VDK | IRF9Z34NSPBF | SSP50R140SFD
History: NP60N04VDK | IRF9Z34NSPBF | SSP50R140SFD



Liste
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