Справочник MOSFET. JFHM9N150E

 

JFHM9N150E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFHM9N150E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 191 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JFHM9N150E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFHM9N150E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1999K  jiaensemi
 jfhm9n150e.pdf pdf_icon

JFHM9N150E

JFHM9N150E 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C , JFHM20N60E , JFHM30N50P , JFHM50N50C , IRFZ46N , JFPC10N60C , JFFM10N60C , JFPC10N60CI , JFPC10N65C , JFFC10N65C , JFPC10N65CI , JFPC10N65D , JFPC10N80C .

History: 4N60CB | IRFPS38N60L | RJK0206DPA | SMC3407S | SST404 | SSF1016A | FS30KMJ-06F

 

 
Back to Top

 


 
.