JFFC5N65C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFFC5N65C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JFFC5N65C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JFFC5N65C datasheet

 ..1. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n65c jffc5n65c.pdf pdf_icon

JFFC5N65C

JFPC5N65C JFFC5N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 650V, RDS(on)typ. = 2.3 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

Otros transistores... JFPC20N65C, JFPC24N50C, JFFM24N50C, JFPC2N80C, JFFM12N80C, JFPC5N60C, JFFM5N60C, JFPC5N65C, IRFZ44, JFPC5N80C, JFFM5N80C, JFPC5N90C, JFFM5N90C, JFPC7N60C, JFFM7N60C, JFPC7N65C, JFFC7N65C