JFFC5N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFFC5N65C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de JFFC5N65C MOSFET
JFFC5N65C Datasheet (PDF)
jfpc5n65c jffc5n65c.pdf

JFPC5N65C JFFC5N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 650V, RDS(on)typ. = 2.3@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance
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History: SFG10R10FF
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